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回流焊爐是電子元件焊接的核心設備，而真空回流焊爐作為其進階類型，在結構設計和工藝原理上存在顯著差異。
2025-07-05
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Rita Chen
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湖北心海工業
核心部件解析 加熱區：預熱區（≤300℃）+ 高溫回流區（≤350℃），部分設備支持 400℃高鉛焊料。 真空單元： 熱輻射保溫方式（如德國 SXX 的腔體上下蓋加熱）； 真空泵選型：有油真空泵（Busch R5 系列）需定期換油，無油真空泵易被助焊劑凝結。 三段式軌道：加熱段 - 真空段 - 冷卻段，間隙設計易導致卡板（建議 PCB 尺寸＞100mm×50mm）。 故障預警： 軌道變形：鋁合金材質在高溫下易形變，導致 “喇叭口” 現象，需定期校準。
2025-07-07
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Rita Chen
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湖北心海工業
膜電容灌膠、固化、老練測試自動生產線是集成了薄膜電容器生產過程中關鍵工藝的自動化系統，通過各環節的協同作業實現高效、精準的規模化生產。
2025-07-05
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Rita Chen
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湖北心海工業
無鉛錫膏（SAC305）的溫度曲線實驗 標準參數：峰值溫度 230-250℃，熔融時間 30-90 秒，預熱時間 120-240 秒。 變量測試： 提高峰值溫度至 250℃，空洞率從 20% 升至 22%； 縮短熔融時間至 45 秒，空洞率降至 18%； 充氮氣 / 優化鋼網開孔，空洞率無顯著改善。 結論：傳統工藝的局限性 單純調整溫度曲線無法突破空洞率 20% 的瓶頸，必須依賴真空環境排除氣泡。 數據可視化： 繪制 “峰值溫度 - 空洞率” 折線圖，標注臨界值（235℃時空洞率最低）。
2025-07-07
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Rita Chen
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湖北心海工業
鉍針自動成形包裝生產線是一種自動化設備，用于生產鉍針或鉍珠。這種生產線通常包括以下幾個關鍵步驟： 熔化輸送：金屬鉍首先在熔化鍋中被熔化，然后通過鉍泵抽吸并送到鑄槽。 成型冷卻：熔融的鉍液從鑄槽的輸液閥流出，經過成型器，如不銹鋼成型篩，滴入裝有冷卻液（通常為水和添加劑的混合液）的梯形槽中。成型后的鉍針順著傾斜設置的托板滑至輸送帶上，繼續冷卻的同時逐漸送入干燥機。 干燥包裝：鉍針進入干燥筒，干燥筒由不銹鋼質板材卷成，筒體入口外圈裝有電加熱器，內設有螺旋擋板。鉍針在干燥筒內一邊干燥、一邊向前運行，同時又受到熱風機迎面而來的熱風干燥。干燥完成后的鉍針流入包裝筒內，完成稱重和包裝。 這種生產線的優點在于制作工藝簡單，設備簡單，可以通過一次流水線作業將熔融狀鉍液直接加工成所需的鉍針產品。制成的鉍針具有廣泛的應用，例如在制藥、冶金添加劑、電子和合金等深度開發領域。 自動化的生產線設計有助于提高生產速度，減少能源消耗，并簡化操作流程。此外，設備的設計還考慮了安全保護措施，如漏電保護和超溫保護，以確保生產過程的安全。 總的來說，鉍針自動成形包裝生產線是一種高效、節能且操作簡便的設備，適合大規模生產鉍針產品。
2024-09-30
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探秘無塵正負壓力固晶爐 VNPCO-800：高效生產背后的技術密碼
在現代電子制造行業，高效穩定的生產設備是企業競爭力的關鍵。無塵正負壓力固晶爐 VNPCO-800 以其獨特的技術優勢，成為眾多企業實現高效生產的得力助手。從設備的結構設計到功能配置，每一處細節都蘊含著提升生產效能的技術密碼。? VNPCO-800 的正壓系統，通過壓力調節閥、泄壓閥等組件的協同運作，實現對腔內壓力的精準調控。10 公斤的正壓承受能力，能夠滿足多種復雜工藝需求，數顯壓力表實時反饋壓力數據，配合高壓報警系統，讓操作人員對設備運行狀態了如指掌。安全門保護機制從源頭上杜絕安全隱患，手動 / 自動泄壓組合則為不同生產場景提供靈活選擇。? 負壓系統的出色表現同樣不容小覷。-0.090~0.1mpa 的真空范圍與 8L/S 的抽氣速率，確保在短時間內達到所需真空度，≤133pa 的真空度與≤0.001pa/L/S 的滲漏率，為固晶過程創造穩定的真空環境。全自動水冷裝置與充氮裝置，有效維持設備工作溫度與腔內氣體純凈度，預約開停機功能更是實現了生產時間的合理規劃，減少能源浪費，提升設備利用率。這些技術優勢的結合，讓 VNPCO-800 成為電子制造企業提升生產效率、降低生產成本的理想之選。
2025-07-07
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Rita Chen
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全球 IC 封測行業 TOP10 知名企業全解析：技術實力與市場布局盤點
2017年第一季度，TOP10封測公司有9家發布財報。前十大首季營收排名是：日月光、安靠、長電、矽品、力成、華天、通富、京元、南茂、聯合科技UTAC。在2015年國家集成電路產業投資基金的支持下，大陸封測廠正迅速壯大，已經成為全球封測業的三強之一。
2023-05-05
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Rita Chen
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湖北心海工業
焊接空洞率的危害與行業標準 —— 從 IPC 規范到軍工級要求
空洞產生的機理 助焊劑揮發形成氣泡，傳統回流焊中氣泡因內部壓力無法被焊料填充。 行業標準對比 IPC-A-610：有鉛工藝空洞率≤25%，無鉛工藝放寬至≤30%； 軍工 / 半導體：單個空洞率≤1%，整體≤5%（如 IGBT 模塊）。 失效案例 空洞率 20% 時，MOSFET 熱阻增大 6.53%，表面溫度升高 5.2℃； 空洞率 79% 時，器件熱阻激增 27.18%，易引發炸裂。
2025-07-07
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Rita Chen
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湖北心海工業